LPE Ga1-xAlxAs/GaAs异质结缺陷研究

被引：0

作者：

沈厚运

梁骏吾

褚一鸣

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

[2] 中国科学院半导体研究所武汉大学物理系

来源：

Journal of Semiconductors | 1984年 / 03期

关键词：

x)Al_xAs/GaAs; 衬底; 基片; 外延层; 失配位错; LPE Ga; 半导体结; 异质结; 缺陷研究; Al;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文用熔融KOH化学择优腐蚀,金相显微镜,扫描电镜阴极荧光研究了液相外延生长的GaAlxAs/GaAs中位错的延伸和分布.观察到异质结GaAlxAs/GaAs中位铅延伸和密度分布与界面成分值x有关.在一定x值范围内,观察到界面层中存在位错网络,这种位错网络对衬底位错向外延层延伸有抑制作用.在此x值范围内外延层是无位错的.用高压透射电镜观察位错网络的平面和剖面分布特征,并对网络形成机理进行了定性讨论.

引用

页码：233 / 238 +345-346

页数：8