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Pb(Zr0.3Ti0.7)O3热释电薄膜材料研究
被引：2
|作者：
钟朝位
汪红兵
彭家根
张树人
张万里
机构：
[1] 电子科技大学微电子与固体电子学院
[2] 四川压电与声光技术研究所
来源：
关键词：
PZT薄膜;
射频磁控溅射;
非制冷红外焦平面;
探测器阵列;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383 [特种结构材料];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
1406 ;
摘要：
利用射频磁控溅射法对0.8Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+0.2PbO的陶瓷靶进行溅射,在5英寸的TiOx/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了PZT薄膜.实验表明,PZT薄膜的取向由(111)到(100)的改变可以通过精确控制基片温度来实现.(111)取向的薄膜具有良好的介电、铁电和热释电性能,其剩余极化强度、介电常数、介电损耗、矫顽场和热释电系数分别为20μC/cm2,370,1.5%,130kV/cm和1.1×10-8C/cm2K,该薄膜可望在非制冷红外焦平面探测器阵列中得到应用.
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