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TlGaS2和TlGaS2∶Er3＋单晶的光致发光性质
被引：0
|作者：
巢毅敏
赵建国
机构：
[1] 江苏石油化工学院
来源：
关键词：
TlGaS2单晶,晶体生长,光致发光光谱;
D O I：
暂无
中图分类号：
O734 [晶体的光学性质];
学科分类号：
0803 ;
摘要：
用布里奇曼法生长出ＴｌＧａＳ２单晶和ＴｌＧａＳ２∶Ｅｒ３＋单晶。生成的单晶，其光致发光与深层能级及Ｅｒ３＋离子能级有关。由施主－受主对复合引起的宽发射谱带，对ＴｌＧａＳ２单晶，在５９６、６１０、６９６和７１６ｎｍ处；对ＴｌＧａＳ２∶Ｅｒ３＋单晶，则在６３２和７５９ｎｍ处。由Ｅｒ３＋引起的的窄发射谱带，在５５２、５５９、６６６、８１３、８１６和８２７ｎｍ处
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