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MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
被引：0
|作者：
胡雨生
胡福义
汪乐
李爱珍
范伟栋
机构：
[1] 中国科学院上海冶金研究所
[2] 中国科学院上海冶金研究所 上海 200050
关键词：
GaAs;
应变层;
热退火;
MBE-GaAs/Si;
调制光谱;
Si;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。
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页码：133 / 138
页数：6
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