晶格匹配的GaAs—Ga1-xAlxAs1-yPy异质结实验研究附视频

被引：0

作者：

郑广富

机构：

[1] 一四四四研究所

来源：

半导体光电 | 1981年 / 02期

关键词：

异质结; 俄歇谱; 外延层; 衬底; 晶格常数; 半导体结; 基片; 点阵参数; GaAs; x)Al_xAs; y)P_y; Ga; Al;

D O I：

10.16818/j.issn1001-5868.1981.02.016

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文报告了采用两种液相外延方法在制备GaAs—Ga1-xAlxAs异质结时向三元系材料掺入少量P,使Ga1-xAlxAs变成Ga1-xAlxAs1-yPy。用X射线双晶和单晶衍射法分别测量了一系列样品,得出最佳晶格失配降到1×10-5,相应的失配应力为1.4×10～7达因/（厘米）2。用俄歇电子谱仪测量Ga1-xAlxAs1-yPy的组分X,Y值,导出了X值和Y值的计算公式,得出样品的实验结果。在同一系统大致相同的条件下作了掺P和不掺P的比较,证明掺入最佳P量能大大改善异质结的质量,可望制得高效率长寿命的双异质结激光器。

引用

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