拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中的线性磁阻

被引：0
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作者：
关童
滕静
吴克辉
李永庆
机构：
[1] 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室
来源：
物理学报 | 2015年 / 64卷 / 07期
关键词：
拓扑绝缘体; 薄膜; 线性磁阻;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.4 [薄膜的性质];
学科分类号：
摘要：
本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作.此体系中,线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现:磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势,并且当温度不高于50 K时,线性磁阻的大小对温度的变化不敏感.栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小.当化学势接近狄拉克点时,线性磁阻最为显著.这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.
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