Ni51Mn25.5Ga23.5单晶大的自发相变应变和磁感生应变

被引：3

作者：

游素琴

武亮

孔春阳

马勇

杨晓红

崔玉亭

机构：

[1] 重庆师范大学物理与信息技术学院

来源：

重庆师范大学学报(自然科学版) | 2008年 / 02期

关键词：

马氏体相变; 形状记忆效应; 磁感生应变;

D O I：

暂无

中图分类号：

TG139.6 [];

学科分类号：

摘要：

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。

引用

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