Mo2S4（i-mnt）2（Et4N）2和（Et4N）3K[Mo2S4（i-mnt）2]2[i-mnt=S2C（CN）2-]阴离子的能带结构研究

被引：2

作者：

蔡淑惠

陈忠

孙福侠

高宪成

卢绍芳

机构：

[1] 厦门大学物理系

[2] 厦门大学化学系

[3] 中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室

来源：

化学学报 | 1998年 / 11期

关键词：

[Mo2S4(i-mnt)2]2-簇阴离子; 紧束缚能带计算; 结构与性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

O641 [结构化学];

学科分类号：

摘要：

二核钼簇合物Mo2S4（i-mnt）2（Et4N）2和（Et4N）3K[Mo2S4（i-mnt2）]2[i-mnt=S2C（CN）2-]的阴离子在晶体中构成独特的链状结构,本文采用扩展的Hückel近似下的紧束缚能带方法,计算了它们的能带结构.结果表明,相邻簇阴离子间存在弱的相互作用,它是形成链状结构的基础.链状结构与晶体的半导体性质相关联.态密度和晶体轨道重叠布居反映了晶体中电荷分布状况及化学成键特点,与晶体结构分析、NMR谱学表征结果相符合.

引用

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