O2/（O2+Ar）比对磁控溅射La-Sr-Mn-O薄膜沉积速率的影响

被引：1
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作者：
江少群
马欣新
唐光泽
孙明仁
王刚
机构：
[1] 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
来源：
中国表面工程 | 2008年 / 02期
关键词：
薄膜; 磁控溅射; 沉积速率;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];
学科分类号：
摘要：
采用直流磁控溅射技术,在不同的O2/(O2+Ar)体积比条件下于Si(100)基片上沉积La–Sr–Mn–O薄膜,结合扫描电子显微分析研究了O2/(O2+Ar)比对薄膜沉积速率的影响。结果表明:薄膜厚度均匀,O2/(O2+Ar)比是影响薄膜沉积速率的重要因素。基体温度和溅射气压较高时,薄膜沉积速率随O2/(O2+Ar)比增加呈抛物线规律下降,O2/(O2+Ar)比由4.4%增加到45.6%,沉积速率减小量可达52.8%;基体温度和溅射气压较低时,薄膜沉积速率随O2/(O2+Ar)比增大呈指数规律下降。薄膜沉积速率下降是由于被溅射原子/离子与氧原子/离子的碰撞几率随氧气含量增加而增大,从而降低了被溅射粒子的能量,使到达基片的粒子数减少。
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