采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1-xCdxTe位错密度研究

被引：5

作者：

巫艳

于梅芳

陈路

乔怡敏

杨建荣

何力

机构：

[1] 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心

[2] 红外物理国家实验室

[3] 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研?

来源：

红外与毫米波学报 | 2002年 / 01期

关键词：

分子束外延; Hg1-xCdxTe; 位错密度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O772 [];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% ,可满足高性能Hg1-xCdxTe焦平面探测器对材料位错密度的要求

引用

页码：23 / 27

页数：5