掺碲的InSb-NiSb共晶复合材料的磁阻性能

炉子温度梯度G=125±5°C/cm,不同单向凝固速度（R）制备的掺Te 6×1016/cm3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,测试它们在不同温度（T）,不同磁感（B）的电阻值时,发现:1.在R—（RB/R0）关系上出现（RB/R0）最大值,这现象在国内外文献中未曾见过,它可由物理的和几何的磁阻效应来说明。2.在同样的T,B下,掺Te共晶的（RB/R0）值较小,例如室温,B=10kG时,掺Te共晶（RB/R0）=7～9,而不掺Te的（RB/R0）=12～16;而且温度越高（RB/R0）越低。3.掺Te共晶的B（RB-R0）曲线上开始出现线性关系的Bs值较高,在7～7.5kG,而未掺Te共晶的Bs≥4～5kG。4.掺Te共晶的霍耳角较小,B=10kG时时θ=74.6～72.5°（R=0.046～0.548mm/min）,而未掺Te共晶的θ=80.9～76°（R=0.041～0.60mm/min）。5.掺Te共晶的磁阻温度系数较小,αρ_(B10-（?）°c=0.21～0.41％/℃,而未掺Te共晶αρB10-50°=0.84～1.73％/℃。