4H-SiC SBD和JBS退火研究

被引：3

作者：

闫锐 ^{[1
]}

杨霏 ^{[1
]}

陈昊 ^{[1
]}

彭明明 ^{[1
]}

潘宏菽 ^{[1
]}

机构：

[1] 专用集成电路国家重点实验室

来源：

微纳电子技术 | 2009年 / 46卷 / 07期

关键词：

4H-SiC肖特基势垒二极管; 4H-SiC结势垒肖特基; 退火; 正向特性; 反向特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN311 [二极管：按工艺分];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。

引用

页码：433 / 436

页数：4

共 4 条

[1] 不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究
杨克勤
陈厦平
杨伟锋
孔令民
蔡加法
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