在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光

被引：14

作者：

余明斌

马剑平

罗家骏

陈治明

机构：

[1] 西安理工大学应用物理系!西安710048

[2] 西安理工大学电子工程系!西安710048

来源：

Journal of Semiconductors | 2000年 / 07期

关键词：

纳米材料; 碳化硅; 薄膜; 光致发光;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

用热丝化学汽相淀积 (HFCVD)法在硅衬底上生长具有纳米晶粒结构的碳化硅薄膜 .用X射线光电子谱仪 (XPS)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶红外吸收光谱 (FTIR)、紫外光 Raman散射谱和高分辨透射电子显微镜 (HRTEM)对薄膜样品进行了结构和组分分析 ,并在室温条件下观察到了薄膜的高强度可见光发射 .

引用

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