纳米AgI-多孔SiO2复合材料的制备及其性能研究

被引：2

作者：

王玉霞

何海平

陈宏伟

机构：

[1] 中国科学技术大学材料科学与工程系

来源：

硅酸盐学报 | 2003年 / 03期

关键词：

多孔二氧化硅; 纳米碘化银; 离子电导; 相变滞后;

D O I：

10.14062/j.issn.0454-5648.2003.03.006

中图分类号：

TB332 [非金属复合材料];

学科分类号：

摘要：

用KI溶液浸泡溶胶 -凝胶法制备的掺Ag+ 的SiO2 凝胶 ,经 5 0 0℃热处理后获得分散均匀的纳米AgI -SiO2 复合体系。用X射线衍射、扫描电镜、紫外 -可见反射光谱以及复阻抗谱等分析手段研究了其结构、形貌、光谱特性和离子电导性质。结果表明 ,复合体系中AgI为β,γ相混晶结构 ,其粒径在 2 0～ 40nm之间。AgI -SiO2 复合体系的光谱吸收边与纯AgI及纯SiO2 不同。复合体系的室温电导率比纯AgI提高约 1～ 2个数量级 ,同时AgI的α β相变点滞后约 13℃。用界面效应和变形极化效应解释了体系电导率的提高 ,认为相变滞后是由相变过程中的弹性效应所引起

引用

页码：246 / 249

页数：4