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- [1] Semiconducting transparent thin films: their properties and applications[J] . A. L. Dawar,J. C. Joshi.Journal of Materials Science . 1984 (1)
射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积透明导电Cd2SnO4薄膜
被引：5
|作者：
蒋生蕊
彭栋梁
孙文红
王万录
机构：
[1] 兰州大学物理系
[2] 兰州大学物理系 兰州 730000
来源：
关键词：
衬底温度;
氧浓度;
CTO;
透明导电;
SnO;
D O I：
10.19912/j.0254-0096.1992.02.003
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
在Ar+O混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电CdSnO(简称CTO)膜。实验表明,该膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度和衬底温度,最低电阻率为2.89×10Ω·m,可见光区域最高透光率为95％。用X射线衍射测量了不同衬底温度下薄膜的结构。
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页数：5
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