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- [2] 非晶态半导体物理学[M]. 高等教育出版社 , 何宇亮等编, 1989
a—Si1-XCX∶H钝化膜热稳定性的研究
被引：0
|作者：
张亚菲
李亚红
张仿清
机构：
[1] 兰州大学物理系
来源：
关键词：
半绝缘体;
半导体表面钝化;
热稳定性实验;
等离子体 CVD 薄膜;
释氢谱;
D O I：
10.13885/j.issn.0455-2059.1990.04.007
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si（1-x）Cx∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验（即高温存放、温度循环和退火）.另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.
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