宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究

被引：2

作者：

王杰

俞根才

诸长生

王迅

机构：

[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室

[2] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

来源：

物理学报 | 1995年 / 09期

关键词：

超晶格结构; XRD; Cd; 自由激子; 外延膜; 外延生长; 晶体生长; 宽禁带; 特性研究;

D O I：

暂无

中图分类号：

O472.1 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E)仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进一步设计蓝绿半导体激光器结构提供了依据.

引用

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