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SnO2/n-Si异质结太阳电池
被引:1
|
作者
:
江雪生
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
北京市太阳能研究所
江雪生
尹万里
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机构:
北京市太阳能研究所
尹万里
李桐
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机构:
北京市太阳能研究所
李桐
机构
:
[1]
北京市太阳能研究所
来源
:
太阳能学报
|
1982年
/ 04期
关键词
:
异质结太阳电池;
SnO2/n-Si;
开路电压;
Si;
D O I
:
10.19912/j.0254-0096.1982.04.015
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
<正> SnO2/n-Si异质结太阳电池实际上可以看作是一种SIS电池,即半导体—绝缘体—半导体结构的导电氧化物异质结太阳电池,它能提供低成本制造太阳电池的可能性,避免高温工艺,更适合多晶和非晶材料;SnO2薄膜减反射性能良好,有较好的短波响应;SnO2薄膜化学稳定性好,能耐强酸溶液,有助于器件的环境保护。SnO2薄膜可以用真空蒸发、溅射、喷
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页码:457 / 459
页数:3
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