外场下SnS分子结构及其特性

被引：17

作者：

黄多辉 ^{[1
,2
]}

王藩侯 ^{[2
]}

万明杰 ^{[1
]}

蒋刚 ^{[1
]}

机构：

[1] 四川大学原子与分子物理研究所

[2] 宜宾学院,计算物理四川省高等学校重点实验室

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 01期

关键词：

SnS; 外电场; 激发特性;

D O I：

暂无

中图分类号：

O561 [分子物理学];

学科分类号：

摘要：

对S原子采用6-311++G**基组,Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,利用密度泛函(B3P86)方法对SnS分子进行了基态结构优化,并研究了外场作用下SnS基态分子键长、能量、能级分布、电荷布居分布、谐振频率和红外谱强度的影响规律.然后利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SnS分子在外场下的激发特性.结果表明,在所加的电场范围内(0.04a.u.—0.04a.u.),随着正向电场的增大,分子键长和红外谱强度均是先减小后增大;总能E,SnS基态分子的最高已占据轨道能量EH和谐振频率均是先增大后减小;分子的最低未占空轨道能量EL和能隙Eg均随正向电场的增大而减小.随着正向电场的增大,SnS分子由基态至前9个单重激发态跃迁的波长增大,激发能则减小.

引用

页码：140 / 146

页数：7

共 7 条

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