PECVD SiO2-SiNX叠层钝化膜的研究

被引：6

作者：

韩培育 ^{[1
,2
]}

季静佳 ^{[2
,3
]}

王振交 ^{[2
]}

李果华 ^{[1
,3
]}

机构：

[1] 江南大学理学院

[2] 无锡尚德太阳能电力有限公司

[3] 江苏省(尚德)光伏技术研究院

来源：

太阳能学报 | 2010年 / 31卷 / 12期

关键词：

多晶硅; 太阳电池; PECVD; 氮化硅; 二氧化硅; 减反射; 钝化;

D O I：

10.19912/j.0254-0096.2010.12.005

中图分类号：

TM914.4 [太阳能电池];

学科分类号：

080502 ;

摘要：

首先使用正交设计法对SiNX和SiO2膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)特性进行了研究,分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO2-SiNX叠层钝化膜,并与SiNX单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化,考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果,结果表明SiO2-SiNX叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率,其反射率曲线基本相同。最后,测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能,其短路电流和开路电压均比采用SiNX单层膜的电池要好,转换效率提高了0.25%。

引用

页码：1549 / 1552

页数：4

共 4 条

[1] 太阳电池及其应用[M]. 国防工业出版社 , 赵富鑫, 1985
[2] Development of RTP for industrial solar cell processing[J] . J. Horzel,C. Allebe,J. Szlufcik,S. Sivoththaman.Solar Energy Materials and Solar Cells . 2002 (1)
[3] Origins of silicon solar cell passivation by SiN x :H anneal[J] . Christoph Boehme,Gerald Lucovsky.Journal of Non-Crystalline Solids . 2002
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