应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究

被引：3

作者：

刘静

高勇

黄媛媛

机构：

[1] 西安理工大学自动化与信息工程学院

来源：

西安理工大学学报 | 2008年 / 24卷 / 04期

关键词：

自加热效应; 热稳定性; 驱动电流;

D O I：

10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2008.04.001

中图分类号：

TN386 [场效应器件];

学科分类号：

摘要：

SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势。但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素。对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机理进行研究,给出了三种缓解MOS-FET器件内部自加热效应的结构,并对其效果进行对比分析。结果表明:DSOI结构不适宜于低压全耗尽型SOI器件;Si3N4-DSOI结构对自加热的改善幅度较小;Si3N4埋层结构效果最好,尤其在低温领域改善更为明显。

引用

页码：385 / 389

页数：5

共 3 条

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