共 2 条
- [1] 半导体材料[M]. 北京理工大学出版社 , 周永溶编, 1992
- [2] Low-cost, fly-ash-containing aluminum-matrix composites[J] . Pradeep K. Rohatgi.JOM . 1994 (11)
SiCP/ZL109复合材料中SiC的界面行为
被引：17
|作者：
隋贤栋
罗承萍
欧阳柳章
骆灼旋
机构：
[1] 华南理工大学机电工程系!广州
来源：
关键词：
SiCP/ZL109复合材料;
SiC/Al界面;
SiC/Si界面;
晶体学位向关系;
界面Si;
亚晶铝带;
D O I：
10.13801/j.cnki.fhclxb.2000.01.015
中图分类号：
TB333 [金属－非金属复合材料];
学科分类号：
摘要：
以常规 TEM为工具 ,研究了 Si CP/ ZL10 9复合材料中数十个 Si C颗粒及其界面 ,Si优先在 Si C表面上形核、长大 ,形成界面 Si,并形成大量 Si C/ Si界面。靠近 Si C界面的 Al基体中 ,普遍存在一层厚度小于 1μm的“亚晶铝带”,其内有大量位错。Si C与 Al、Si C与 Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系 ,但是存在下列优先关系 :(110 3) Si C/ /(111) Al,[112 0 ]Si C/ / [110 ]Al;(110 1) Si C/ / (111) Si;[112 0 ]Si C/ / [112 ]Si
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