Field Emission Characteristics of Boron Nitride Films Deposited on Si-tip Arrays

被引：0
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作者：
姜坤 [1 ]
李媛 [1 ]
顾广瑞 [1 ]
机构：
[1] 延边大学理学院物理系
来源：
延边大学学报(自然科学版) | 2009年 / 35卷 / 01期
关键词：
BN薄膜; 场发射; 硅尖;
D O I：
10.16379/j.cnki.issn.1004-4353.2009.01.020
中图分类号：
TN304 [材料];
学科分类号：
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要：
利用射频磁控溅射方法,在硅尖上沉积了氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380 cm-1和780 cm-1).在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性,与沉积在硅片上的BN薄膜比较,沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射特性明显提高.开启电场为8 V/μm,最高发射电流为300μA/cm2.沉积在硅尖上的BN薄膜的场发射FN曲线为两段直线,这可能是由于电子发射源于硅尖的尖部和根部造成的.
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    [J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 2000, 44 (10) : 1733 - 1741
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