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Nb对C-15结构V2（HfZr）系列的超导转变温度的影响
被引：1
|作者：
徐云辉
周立
尹道乐
机构：
[1] 有色金属研究总院
[2] 北京大学物理系
来源：
关键词：
原子;
分子;
光电子能谱;
光电发射能谱;
V2;
C-15;
Nb;
超导转变温度;
超导临界温度;
原子间相互作用;
杂化;
外层电子;
射线衍射;
束缚能;
结合能;
化合物;
超导材料;
金属材料;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
本文中研究了C-15结构V2Hf1-xNbx,V2Zr1-xNbx和V2Hf0.5Zr0.5-xNbx系列的超导转变温度Tc与Nb合量x的关系,发现V2Zr,V2Hf加Nb后与V2Hf0.5Zr0.5加Nb后性能显著不同。测定了V2Zr,V2Hf和V2Hf0.5Zr0.5的X射线光电子能谱。结果表明,当Hf原子和Zr原子共存于AB2化合物的A位上时,发生了一种增强原子间相互作用的新的电荷转移。这个事实支持由角动量分波表象能带论方法分析电声耦合超导原理的结果对四元V2（HfZrNb）系列的超导行为提出的一种可能解释:4d-5d原子配位可能有助于提高4d导带的杂化程度,从而有利于提高超导Tc。
引用
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页码：1183 / 1190
页数：8
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