共 1 条
Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究
被引：2
|作者：
杨宇
卢学坤
黄大鸣
蒋最敏
杨敏
章怡
龚大卫
陈祥君
胡际璜
张翔九
赵国庆
机构：
[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
[2] 复旦大学物理二系 上海200433
来源：
关键词：
量子阱;
光致发光谱;
x)Ce_x/Si;
光学声子;
激子;
准粒子;
子阶;
深能级杂质;
发光材料;
光学材料;
衬底;
基片;
材料制备;
特性研究;
D O I：
暂无
中图分类号：
O472.3 [];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
摘要：
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了SiGe/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
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页码：995 / 1002
页数：8
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