Y3Ga5O12单晶及其晶纤的生长

被引：1

作者：

王其良

陈继勤

钟永成

机构：

[1] 浙江大学

[2] 上海国嘉光电有限公司杭州

来源：

人工晶体学报 | 1990年 / 04期

关键词：

YGG单品; YGG晶纤; 提拉法; 激光加热基座法;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1990.04.006

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文介绍了用CZ法生长Nd:Y3Ga5O12（YGG）大单晶。YGG熔体易挥发,且其对流花样呈涡流状。X射线衍射相分析表明挥发物为Ga2O3。加大炉内保护气N2压力或用98％N2及2％O2的混合气体,都可明显的抑制Ga2O3的挥发。常压激光加热基座生长（LHPG）法不能生长YGG单晶光纤。对晶纤的X射线能谱分析（EDS）表明,YGG中Ga2O3探发很严重,且Ga从中心迁移到边缘,造成晶纤中组分极不均匀。

引用

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