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- [3] 固体光谱学[M]. - 中国科学技术大学出版社 , 方容川编著, 2001
- [4] 现代电子材料技术[M]. - 国防工业出版社 , 电子科学研究院组织编著, 2000
- [5] 抗辐射电子学[M]. - 国防工业出版社 , 赖祖武主编, 1998
- [6] 激光喇曼光谱学[M]. - 上海科学技术出版社 , 郑顺旋 编著, 1985
a-SiC:H薄膜的中子辐照研究
被引：0
|作者：
刘贵昂
谢二庆
王天民
机构：
[1] 北京航空航天大学理学院 广东湛江524088
[2] 甘肃兰州730000
[3] 北京100083
[4] 湛江海洋大学理学院
[5] 兰州大学物理系
来源：
关键词：
a-SiC:H薄膜;
中子辐照;
非晶碳;
石墨化;
D O I：
暂无
中图分类号：
O649 [半导体化学];
学科分类号：
080501 ;
摘要：
用射频(13.56MHz)反应溅射法制备了a SiC:H薄膜,并将制得的薄膜采用高能中子(14MeV)进行辐照。采用电阻率、Raman谱及红外光谱对薄膜的结构与特性变化规律进行了表征。分析结果表明:所得a SiC:H薄膜中存在多余的非晶态碳。随着中子辐照剂量的增加,a SiC:H薄膜中SP2C=C键增加,即其中的碳存在类石墨化的趋势。中子辐照后薄膜的电阻率的略微减小现象,可用缺陷对载流子的捕获模型进行解释。
引用
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