掺Gd3+钼酸盐AMoO4（A=Ca,Sr,Ba,Pb）自旋哈密顿参量的理论计算

被引：0

作者：

杨维清 ^{[1
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]}

张胤 ^{[1
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高敏 ^{[1
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林媛 ^{[1
]}

赵小云 ^{[2
]}

机构：

[1] 电子科技大学电子薄膜与集成电路国家重点实验室

[2] 成都信息工程学院光电技术系

来源：

物理学报 | 2013年 / 62卷 / 04期

基金：

中国博士后科学基金;

关键词：

AMoO4(A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd3+晶体; 自旋哈密顿参量; 晶体场理论; 对角化能量矩阵;

D O I：

暂无

中图分类号：

O731 [晶体的物理性质];

学科分类号：

摘要：

采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法,计算了Gd3+在钼酸盐AMoO4(A=Ca,Sr,Ba,Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g//,g⊥和零场分裂b20,b40,b44,b60,b64).矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算.计算结果显示,应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量2(R0),4(R0)和6(R0)],计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好,表明该方法可用于计算或解释Gd3+在晶体中的自旋哈密顿参量.

引用

页码：414 / 418

页数：5

共 5 条

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