n-GaAs/p-GaAs/p-Ga1-xAlxAs背反射簿层电池光谱响应的理论分析

被引：1

作者：

郑永梅 ^{[1
]}

李以柏 ^{[1
]}

机构：

[1] 厦门大学物理学系

来源：

厦门大学学报(自然科学版) | 1990年 / 06期

关键词：

砷化镓; 太阳电池; 光谱响应;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

n-GaAs/p-GaAs/p-GaAlAs 异质结构背电场背反射簿层电池的光谱响应的计算结果表明:结深x对光谱响应有重要的影响,尤其是短波;基区厚度H的变化对长波光谱响应也非常敏感,存在一最佳的基区厚度值;比较理想的电池结构参数是:x<0.05μm,n型表面区扩散长度L>x,基区扩散长度 L>2H。

引用

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