共 1 条
- [1] Ionic/electronic conducting characteristics of LiFePO4 cathode materials - The determining factors for high rate performance .2 C. S. Wang and J. Hong. Electrochemical and Solid State Letters . 2007
Zr层插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响
被引：4
|作者：
丁明惠
张丽丽
盖登宇
王颖
机构：
[1] 哈尔滨工程大学
来源：
关键词：
Ta-N/Zr薄膜;
扩散阻挡层;
Cu互连;
射频反应磁控溅射;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB383.2 [];
学科分类号：
摘要：
在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-N/Zr阻挡层,研究Zr层的插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响。结果表明:不同沉积温度下制备的Ta-N均为非晶态结构;Zr层的插入使Ta-N阻挡层的失效温度至少提高100℃,在800℃仍能有效地阻止Cu的扩散。阻挡性能提高的主要原因是高温退火时形成低接触电阻的Zr-Si层。
引用
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页码：2036 / 2038
页数：3
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