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LiBq4/ITO和LiBq4/CuPc/ITO表面的AFM与XPS分析
被引:1
|
作者
:
欧谷平
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兰州大学物理系
欧谷平
宋珍
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徐勇
张福甲
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兰州大学物理系
张福甲
机构
:
[1]
兰州大学物理系
[2]
北京机械工业学院基础部
来源
:
光电工程
|
2004年
/ S1期
关键词
:
发光材料;
蓝色OLED;
缓冲层CuPc;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN304 [材料];
学科分类号
:
摘要
:
用 AFM 对蓝色 OLED 的空穴传输层 LiBq4/ITO 和 LiBq4/CuPc/ITO 表面扫描。结果均呈岛状结构。LiBq4沉积在 ITO 上成膜较差,在 CuPc 上成膜较好。说明加入 CuPc 能有效改善 LiBq4的成膜质量。XPS 对样品表面 In3d 和 Sn3d 的电子状态分析也证实 ITO 表面沉积 LiBq4膜存在裂缝,加入 CuPc 可抑制裂缝出现。分析指出,CuPc 由于 Cu(II)离子半满的 dx2-y2轨道在卟啉环平面内和氮强烈作用形成离域大π键,使 LiBq4的沉积状态改善。
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