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P+-N-P+型I2L的研制
被引：0
|作者：
机构：
[1] 中国科学院计算所十一室高速I~2L专题组
来源：
关键词：
加速场;
电荷存储;
外延法;
基区;
I~2L;
N-P;
D O I：
10.13290/j.cnki.bdtjs.1979.z1.011
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
由于典型I;L的速度不能满足高速电路的要求,我们于1975年7～8月份开始研究高速I;L电路,9月提出将低发射极浓度器件用于I;L电路的方案,10月提出采用两次薄外延实现低发射极浓度器件的工艺,12月又提出采用浓硼扩散作I;L的注入器。这就奠定了“p;-n-p;”型高速注入逻辑的基本结构。随后进行了单元门以及微处理机全
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