n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究

被引：3

作者：

田爱华

赵彤

潘宏菽

陈昊

李亮

霍玉柱

机构：

[1] 河北半导体研究所

来源：

半导体技术 | 2007年 / 10期

关键词：

4H-SiC; 同质外延; 欧姆接触; 比接触电阻; 接触的高温稳定性;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2007.10.009

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

摘要：

介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n+-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最小的比接触电阻为2.59×10-6Ω.cm2,满足器件性能,为各种SiC器件的实现奠定了基础。同时,该接触系统还具有很好的高温稳定性,在100 h的400℃高温存储实验后,其比接触电阻基本稳定。

引用

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