a-Si:H/a-Si1-xCx:H多层膜的电学和光学性质

被引：0

作者：

彭启才

周心明

蔡伯埙

机构：

[1] 四川大学

来源：

材料科学进展 | 1989年 / 01期

关键词：

a-Si:H/a-Si1-xCx:H; 超晶格; 非晶半导体; 电学性质; 光学性质;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

采用等离子体辉光放电单室系统制备的 a-Si:H/a-Si1-xCx:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的 S-W 效应。随着子层厚度 L 减小,多层膜曝光态（B）的暗电导率σdB 较退火态（A）的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙 Eg,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。

引用

页码：65 / 70

页数：6

共 7 条

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