InP基异质结界面暗电流C-V测试分析

被引：0

作者：

林琳

刘英斌

陈宏泰

王晶

崔琦

机构：

[1] 中国电子科技集团公司第十三研究所

来源：

半导体技术 | 2008年 / 09期

关键词：

暗电流; 电化学C-V; I-V特性; 异质结界面;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.09.012

中图分类号：

TN362 [红外线探测器件];

学科分类号：

摘要：

采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs向InP界面转换采用As/P直接切换的优化生长方式。用逐层化学腐蚀的方法,对比分析了I-V特性与XRD测试结果的关系,论证了I-V测试结果的有效性,指出了表征异质结界面电学质量的简洁方法。

引用

页码：769 / 771+779 +779

页数：4