GeSb2Te4相变薄膜表面形貌的分形特征

被引：6

作者：

付永忠

丁建宁

杨继昌

解国新

机构：

[1] 江苏大学纳米技术研究中心

来源：

江苏大学学报(自然科学版) | 2006年 / 05期

关键词：

GeSb2Te4薄膜; 分形; 高度相关函数; 溅射功率;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB383.2 [];

学科分类号：

摘要：

在Si(111)基底上用磁控溅射法以不同射频功率制备GeSb2Te4薄膜.利用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形计算,得到表面形貌的分形维.结果表明,分形维的大小与薄膜表面质量成正比,而表面粗糙度不能全面描述薄膜表面形貌;溅射功率对薄膜表面微观结构有直接影响,在一定范围内,增大溅射功率可以提高薄膜表面质量,但超过一定值后,又会降低薄膜表面质量.并指出利用分形维可以优化溅射工艺参数.

引用

页码：430 / 433

页数：4

共 4 条

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