WO3基H2S气敏材料的研究

被引：38
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作者：
徐甲强
闫冬良
王国庆
田志壮
江青萍
机构：
[1] 河南省南阳卫生学校
[2] 郑州轻工业学院化工系
来源：
硅酸盐学报 | 1999年 / 05期
关键词：
硫化氢检测; 气体传感器; 氧化钨; 正交试验; 气敏机理;
D O I：
10.14062/j.issn.0454-5648.1999.05.014
中图分类号：
TN379.04 [];
学科分类号：
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要：
采用正交试验法和单水平试验法研究了热处理温度及掺杂元素对ＷＯ３ 基Ｈ２Ｓ气敏元件灵敏度、选择性、稳定性、响应恢复特性及元件阻值的影响，得到了较为理想的Ｈ２Ｓ气敏元件． 根据提出的气敏机理模型较好地解释了热处理温度、掺杂氧化物酸碱性及催化活性等对Ｈ２Ｓ气体灵敏度的影响．
引用
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