Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究

被引：1

作者：

钟兴儒，刘爱民，林兰英，常秀兰，陶琨，陈顺英

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所，清华大学材料科学研究所

来源：

关键词：

欧姆接触，接触电阻率，微结构;

D O I：

10.19912/j.0254-0096.1995.04.008

中图分类号：

TN304.055 [];

学科分类号：

摘要：

研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６．７×１Ｏ－‘Ωｃｍ‘。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。

引用

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