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- [1] Growth of large crystals of (Pb,Ge)Te and (Pb,Sn)Te[J] . S. G. Parker,J. E. Pinnell,R. E. Johnson.Journal of Electronic Materials . 1974 (4)
封闭系统中PbxSn1-xTe外延淀积在PbxSn1-xTe基片上
被引：0
|作者：
尚铎
机构：
来源：
关键词：
外延膜;
基片;
衬底;
淀积;
x)Te;
封闭系统;
Pb;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
在封闭系统中往Pb0.79Sn0.21Te（100）基片上淀积载流子浓度在1017/厘米3范围内的P型Pb.79Sn0.21Te外延膜,速率为1.5～3.0微米/小时。这些外延膜是在425～525℃下用符合化学计量或金属略多的料淀积的。淀积的n型膜夹杂着金属。膜的结构受基片缺陷、基片温度及装料组分的影响。制成了厚达100微米的膜。采用肖特基势垒工艺,在外延膜上做出了在77K下黑体探测度为1010厘米赫1/2/瓦的红外探测器阵列。
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