NiIn（Ge）／n－GaAs欧姆接触的研究

被引：0

作者：

范缇文 ^{[1
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丁孙安 ^{[1
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张金福 ^{[1
]}

许振嘉 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

来源：

Journal of Semiconductors | 1995年 / 07期

关键词：

欧姆接触; 接触电阻率; 退火温度; 衬底; 基片; 电子束蒸发; Ge; NiIn; GaAs; 金属接触;

D O I：

暂无

中图分类号：

O471 [半导体理论];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单晶欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料．其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度存在着典型的Ｕ型依赖关系．透射电子显微镜（ＴＥＭ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）的分析结果指出ρｃ值的大小很大程度取决于ＧａＡｓ衬底与金属接触材料间ＩｎＧａＡｓ相的形成及其覆盖度．文中还对金属接触材料与砷化镓相互作用的动力学进行了讨论．

引用

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