32nm工艺及其设备

被引：1

作者：

翁寿松

机构：

[1] 无锡市罗特电子有限公司

来源：

电子工业专用设备 | 2008年 / 37卷 / 12期

关键词：

32nm工艺; 193nm浸没式光刻; 双重图形; 光刻设备;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN305.7 [光刻、掩膜]; F416.63 [电子工业];

学科分类号：

摘要：

2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。

引用

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