用反应溅射法沉积SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性（英文）

被引：0

作者：

李俊 ^{[1
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周帆 ^{[1
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张建华 ^{[2
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蒋雪茵 ^{[1
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张志林 ^{[1
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机构：

[1] 上海大学材料科学与工程学院

[2] 上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室

来源：

发光学报 | 2012年 / 33卷 / 11期

关键词：

薄膜晶体管; 稳定性; 反应溅射SiOx;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN321.5 [];

学科分类号：

摘要：

制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。

引用

页码：1258 / 1263

页数：6