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- [7] 兰氏化学手册[M]. 科学出版社 , (美)J.A.迪安（JohnA.Dean）主编, 2003
B掺杂Sr2MgSi2O7电子结构的理论计算
被引：2
|作者：
姜洪义
姬同坤
李家亮
机构：
[1] 武汉理工大学材料科学与工程学院
来源：
关键词：
第一性原理;
Sr2MgSi2O7;
B掺杂;
电子结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
O641.1 [化学键理论];
学科分类号：
摘要：
利用基于密度泛函理论的超软赝势方法(PWP),结合局域密度近似(LDA)计算替位式掺杂B的Sr2MgSi2O7的电子结构。预测了B掺杂Sr2MgSi2O7的晶胞参数;对引入杂质前后电子结构的异同以及价键的性质进行了对比分析,结果表明杂质引入后,B所带正电荷为0.89,B—O键键长为1.494 8,B—O键表现出共价键性质,能带结构中出现了新的定域能级,态密度出现了新峰,说明B掺杂可以延长余辉时间。
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