铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3的改性研究

被引：0

作者：

王宁章 ^{[1
]}

李建业 ^{[2
]}

刘静 ^{[2
]}

宁吉 ^{[1
]}

高雅 ^{[1
]}

机构：

[1] 广西大学计算机与电子信息学院

[2] 广西大学材料科学与工程学院

来源：

材料导报 | 2013年 / 27卷 / 18期

关键词：

Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷; 二氧化钛; 氧化锌; 烧结助剂; 介电性能;

D O I：

暂无

中图分类号：

TQ174.1 [基础理论];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。

引用

页码：32 / 34 +46

页数：4

共 10 条

[1] 电容-压敏双功能材料研究进展
焦雷
姜斌
柏松
徐东
[J]. 电瓷避雷器, 2012, (02) : 31 - 39
[2] 铁电材料的研究进展
殷江
袁国亮
刘治国
[J]. 中国材料进展, 2012, 31 (03) : 26 - 38
[3] 真空烧结对SrTiO3功能陶瓷性能的影响
王宁章
马玉田
[J]. 材料导报, 2010, (10) : 7 - 9
[4] 钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料的研究
王平
吴思华
李之锋
王科超
李学帅
[J]. 硅酸盐通报, 2009, 28 (02) : 336 - 340
[5] CeO2掺杂对BaTiO3基陶瓷电介质的影响
张晨
曲远方
单丹
[J]. 压电与声光, 2007, (01) : 77 - 79
[6] 钛酸锶钡(BST)薄膜的组成、结构与性能研究进展
符春林
杨传仁
陈宏伟
[J]. 真空科学与技术学报, 2003, (04) : 37 - 45
[7] 钛酸锶钡电介质材料的掺杂改性及其应用
张磊
梁辉
徐廷献
[J]. 硅酸盐学报, 2002, (06) : 785 - 788
[8] 钛酸钡系PTC热敏陶瓷材料的制备与性能研究[D]. 任伊锦.太原理工大学. 2006
[9] Electrical properties and structure of grain boundaries in n-conducting BaTiO 3 ceramics[J] . Junbo Hou,Zaoli Zhang,Wolfgang Preis,Werner Sitte,Gerhard Dehm.Journal of the European Ceramic Society . 2010 (5)
[10] Progress in the developments of (Ba,Sr)TiO 3 (BST) thin films for Gigabit era DRAMs[J] . S Ezhilvalavan,Tseung-Yuen Tseng.Materials Chemistry and Physics . 2000 (3)

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