Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnSe/Zn1-xMnxSe超晶格中的应力效应

被引：0

作者：

李晓莅

陈唏

刘继周

陈辰嘉

王学忠

凌震

王迅

吕少哲

机构：

[1] 北京中国科学院激发态物理开放实验室

[2] 北京大学物理系

[3] 中国科学院长春物理所

[4] 复旦大学应用表面物理实验室

来源：

光谱学与光谱分析 | 1997年 / 02期

关键词：

超晶格; 光致发光谱; 应力效应;

D O I：

暂无

中图分类号：

O73 [晶体物理];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１～３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量，实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度的变化主要由其阱中ＺｎＳｅ能隙的变化所决定，给出了温度系数

引用

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