氩气流量对300mm直径单晶硅生长过程中熔体内氧边界层的影响

被引：0
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作者：
董法运 [1 ]
李进 [1 ]
高忙忙 [1 ]
景华玉 [1 ]
杨轶涵 [1 ]
何力军 [1 ]
梁森 [1 ]
聂静 [1 ]
机构：
[1] 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室
来源：
硅酸盐通报 | 2015年 / 34(S1)卷 / S1期
关键词：
单晶硅; 氩气流量; 氧边界层; 熔体流动; 氧含量;
D O I：
10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2015.s1.008
中图分类号：
O613.72 [硅Si];
学科分类号：
070301 ; 081704 ;
摘要：
氧是太阳能级单晶硅中的主要杂质之一,其主要来源于石英坩埚。在晶体生长过程中,熔体对流的强弱对石英坩埚的分解起着至关重要的作用。本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气流量与氧边界层的关系。研究结果表明,石英坩埚的分解与氧的边界层厚度有关,而熔体内对流,特别是坩埚壁附近对流的强度对氧边界层会产生显著的影响;通过对固液界面氧含量结果的分析,验证了石英坩埚的分解与侧壁对流的强弱(即边界层的厚度)有关。
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