LPCVD法制备SiC-MoSi2涂层的形貌及沉积机理研究

被引：1
|
作者：
何子博
李贺军
史小红
付前刚
吴恒
机构：
[1] 西北工业大学凝聚态国家重点实验室
来源：
材料导报 | 2012年 / 26卷 / 20期
关键词：
低压化学气相沉积; SiC-MoSi2双相陶瓷涂层; 沉积温度; 沉积机理;
D O I：
暂无
中图分类号：
TB332 [非金属复合材料];
学科分类号：
摘要：
为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理。结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100～1250℃均可成功得到SiC-MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔;1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层;1150～1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层。
引用
收藏
页码：1 / 5
页数：5
相关论文
共 11 条
  • [1] 水热温度对SiC-C/C复合材料表面水热电泳沉积MoSi2抗氧化涂层的影响
    王博
    黄剑锋
    刘淼
    李抗
    曹丽云
    吴建鹏
    [J]. 无机化学学报, 2011, 27 (04) : 666 - 672
  • [2] C/C复合材料防氧化涂层SiC/SiC-MoSi2的制备与抗氧化性能
    付前刚
    李贺军
    李克智
    史小红
    [J]. 金属学报, 2009, 45 (04) : 503 - 506
  • [3] 化学气相沉积制备MoSi2涂层分析
    史波
    李贺军
    李克智
    付前刚
    [J]. 材料导报, 2005, (07) : 37 - 40
  • [4] 炭 /炭复合材料
    李贺军
    [J]. 新型炭材料, 2001, (02) : 79 - 80
  • [5] 碳/碳复合材料表面MoSi2-SiC复相陶瓷涂层及其抗氧化机制
    曾燮榕
    李贺军
    杨峥
    [J]. 硅酸盐学报, 1999, (01) : 3 - 5
  • [6] 化学气相渗透法制备碳化硅陶瓷复合材料
    闫联生
    邹武
    [J]. 固体火箭技术, 1998, (01) : 56 - 61
  • [7] 酚醛树脂及其应用[M]. 化学工业出版社 , 黄发荣, 2003
  • [8] 高温抗氧化涂层[M]. 科学出版社 , 金石译, 1980
  • [9] Mechanical behavior of molybdenum disilicide reinforced silicon carbide composites
    Kumar, R. Suresh
    Sivakumar, D.
    Venkateswarlu, K.
    Gandhi, Ashutosh S.
    [J]. SCRIPTA MATERIALIA, 2011, 65 (09) : 838 - 841
  • [10] C/SiC/MoSi 2 –Si multilayer coatings for carbon/carbon composites for protection against oxidation[J] . Yu-Lei Zhang,He-Jun Li,Xin-Fa Qiang,Ke-Zhi Li,Shou-Yang Zhang.Corrosion Science . 2011 (11)
12