R2PdSi3（R=Pr,Tb和Gd）单晶生长沉淀（英文）

被引：3

作者：

徐义库 ^{[1
,2
]}

刘林 ^{[1
]}

Wolfgang LSER ^{[2
]}

葛丙明 ^{[1
]}

机构：

[1] 西北工业大学凝固技术国家重点实验室

[2] 德国莱布尼兹固态及材料科学研究所

来源：

Transactions of Nonferrous Metals Society of China | 2011年 / 21卷 / 11期

关键词：

悬浮区熔; 单晶生长; 稀土元素化合物; 沉淀;

D O I：

暂无

中图分类号：

O782 [晶体生长工艺];

学科分类号：

摘要：

利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制备R2PdSi3(R=Pr,Tb和Gd)单晶。从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体内部以及单晶基体4个方面研究单晶制备过程中一个很重要的现象,第二相沉淀。采用退火热处理方法以及给料棒成分微调法可以有效减少凝固后期冷却过程中由于Si溶解度降低析出的条纹状RSi(R=Pr,Tb和Gd)沉淀。

引用

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页数：5