InSb1-xBix的液相外延

被引：0

作者：

孙清

吴汶海

邹元爔

施惠英

机构：

[1] 上海科学技术大学

[2] 中国科学院上海冶金研究所

来源：

关键词：

外延层; 外延生长; 衬底; 晶体生长; 基片; InSb; x)Bi_x; Bi;

D O I：

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中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb1-xBix外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb1-xBix电外延的初步试验.

引用

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