CdSiP2单晶退火研究

被引：0

作者：

孙宁

赵北君

何知宇

陈宝军

朱世富

黄巍

吴敬尧

林莉

钟义凯

机构：

[1] 四川大学材料科学与工程学院

来源：

人工晶体学报 | 2015年 / 44卷 / 12期

关键词：

CdSiP2晶体; 退火; 晶体成分; 红外透过率;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.12.016

中图分类号：

O782 [晶体生长工艺];

学科分类号：

摘要：

以高纯（6N）Cd、Si、P单质为原料,采用双温区气相输运法和改进的垂直布里奇曼法合成生长出等径尺寸为Φ17 mm×65 mm的CdSiP2单晶锭,经切割抛光得到CdSiP2晶片。将样品分别置于真空、镉气氛、磷气氛和在同成分粉末包裹中进行了退火试验。采用X射线能量色散谱仪（EDS）和傅里叶红外分光光度计（FTIR）对退火前后的晶片组分及红外透过谱进行了测试分析。结果表明:四种氛围退火前后样品的组分变化不大,原子比接近理想的化学计量比;镉气氛下退火对晶片的红外透过率改善较为显著,在1600～4500 cm-1范围内的红外透过率由46%52%提高到51%57%,接近CdSiP2晶体红外透过率的理论值。

引用

页码：3455 / 3459+3466 +3466

页数：6

共 8 条

[1] CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究
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